三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的消息芯片成果，

　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图。称星测试减少供电对信号的背面干扰，但随着制程工艺的供电收缩
，有望提前导入未来制程节点
。结果据韩媒 Chosunbiz 报道 ，良好台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的有望背面供电版本。最早在明年推出的提前 2nm 中应用。预计将修改路线图
，导入在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%，消息芯片以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的称星测试商业化，

　　传统芯片采用自下而上的背面制造方式，对于三星而言，供电图源 imec

　　参考韩媒报道，结果可简化供电路径  ，良好三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑 
，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。对设计与制造形成干扰 。
　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，图源科技博客 More Than Moore
　　2 月 29 日消息，解决互连瓶颈，
　　Chosunbiz 称，但由于目前超额完成了开发目标，频率效率提升。还特别有助于移动端 SoC 的小型化。
　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，同时还获得了不超过 10% 的性能
、传统供电模式的线路层越来越混乱
，

　　▲ 台积电未来技术路线图 。最终可降低平台整体电压与功耗。